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閃存flash讀寫的基本原理是什么
首先講述的是基本原理，因為前面總結(jié)了很多基本原理，所以這個位置比較粗略的帶過。
從圖上可以看出，Vt為開啟電壓，對于N溝道的cmos，當(dāng)門極加的電壓逐漸變大的時候，多數(shù)載流子被門極所吸引，向上移動，形成N型溝道，N型半導(dǎo)體即被導(dǎo)通，有導(dǎo)通電流。開始有導(dǎo)通電流的門極所加的電壓我們稱為開啟電壓，隨著開啟電壓的增大，電流逐漸增大。這就是cmos管的基本原理。
從cmos管過渡到nand flash：
和cmos不同的是，在門極附近加了浮柵，浮柵的兩邊是氧化層。
當(dāng)寫的時候，加入足夠大的門極電壓，就可以通過氧化層的隧穿效應(yīng)，將電子打入到浮柵中完成寫0的過程；
當(dāng)擦除的時候，就加反向電壓同樣利用隧穿效應(yīng)讓電子從氧化層出來，就可以完成擦除功能。
當(dāng)讀的時候，由于浮柵里面有電子，會有反向電場，這個時候會導(dǎo)致開啟電壓增大，讀的時候就是靠這個特性，給門極加大于開啟的電壓的電壓值，則溝道導(dǎo)通，會有導(dǎo)通電流，通過導(dǎo)通電流即可分析是否是0。
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